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2017-08-26 发布于湖北
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Glass_Sensor制程
目 录 Glass Sensor的结构及对应制作工艺 1 Glass Sensor各工序生产时间、样品交期、量产交期 2 Glass Sensor制程难点、生产过程中质量管控点 3 Glass Sensor部分设计规范与设计建议 5 Glass Sensor主要材料介绍 4 Glass Sensor常见不良及原因分析 6 一、Glass Sensor的结构及对应制作工艺 结构1： （单面ITO Pattern搭金属桥） 绝缘层 金属桥 金属层 Electric Bridge 正面保护层(SiO2) Glass 正面ITO图形 金属图形(如Mo/Al/Mo等) 金属桥引线 绝缘层 ITO层 背面ITO屏蔽层 背面保护层（SiO2） 绝缘层（OC） 1.共需要8道制程； 2.此结构是目前主流的产品； 3.金属桥在OC绝缘层上面。 结构1的制作工艺： （单面ITO Pattern搭金属桥） 结构2： （双面ITO Pattern单面金属引线） Double sides 保护膜(如SiO2等) X-ITO Glass Y-ITO 金属引线(如Mo/Al/Mo等) 保护膜(如SiO2等) Pattern FITO RITO 金属层 该结构由于有苹果专利限制，目前一楼还没有试做样品。 结构3（Lens集成式TP） 该结构还只是设想，目前也没有做样品。 图1 11-透明基板 12-透明电极导电层 13-绝缘装饰层（树脂类颜料） 14-金属引线 15-透明绝缘保护层 二、Glass Sensor各工序生产时间、样品交期、量产交期 工序 正面镀ITO 正面ITO Pattern制作 背面镀ITO OC Pattern制作 正面镀MoAlMo MoAlMo Pattern制作 正面掩膜镀SiO2 背面镀SiO2 Tact Time 12.5s 25s 12.5s 25s 12.5s 25s 10min 12.5s 样品交期 1周 量产交期 7-10天 ITO、MoAlMo镀膜工序 清洗 上片 镀膜 卸片 SiO2掩膜镀工序 清洗 装载掩膜板 上片 镀膜 卸片 卸载掩膜板 ITO、MoAlMo Pattern制作 清洗 涂胶 预烘 曝光 显影 后烘 蚀刻 脱膜 OC Pattern制作 清洗 涂胶 预烘 曝光 显影 后烘 三、Glass Sensor制程难点、生产过程中质量管控点 单面ITO搭金属桥式Glass Sensor的制程难点在MoAlMo Pattern制作。 ITO/MoAlMo Substrate Photoresist Mask Developing Etching Stripping MoAlMo Pattern制程使用正性光刻胶 Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 涂布光刻胶（Resist Coating ） √ Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 光刻胶的曝光 (Photoresist Exposure) Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 光刻胶的显影 (Photoresist Develop) 光刻胶的显影后，照片图示 正型光刻胶曝光显影原理 正型光刻胶受紫外线照射后，光照区重氮萘醌型酯化物发生分解，放出氮气形成烯酮。烯酮遇水形成茚羧而易溶于稀碱。 未曝光区由于碱的作用，重氮化合物上树脂发生偶合反应形成氮化合物，使分子量增加，从而降低溶解度。 Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 光刻胶的后烘 (Photoresist Post-bake) Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip MoAlMo Pattern 的蚀刻 (MoAlMo Pattern Etching) Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 光刻胶的剥离 (Photoresist Strip) 光刻胶的剥离
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